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Affichage 21 articles: DSEI2X101-12A à DTC143TT (Page 136 sur 485)

Diode DSEI2X101-12A
DSEI2X101-12A
61.15€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Double diode silicium 1200V 2x91A. Trr<40ns. Boîtier: ISOTOP/SOT-227B.

 
 
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Diode DSEI2X121-02A
DSEI2X121-02A
58.07€ TTC
3 En stock
3 En stock

Double diode silicium 200V 2x123A. Trr<35ns. Boîtier: ISOTOP/SOT-227B.

 
 
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Diode DSEI30-06A
DSEI30-06A
12.77€ TTC
24 En stock
24 En stock

Diode silicium 600V 37A/375Ap 35ns. max: 50ns 125W TO247AD

 
 
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Diode DSEI30-10A
DSEI30-10A
13.78€ TTC
31 En stock
31 En stock

Diode silicium 1000V 30A/375Ap 35ns. max: 50ns 138W TO247AD

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode DSEI30-12A
DSEI30-12A
14.28€ TTC
66 En stock
66 En stock

Diode silicium 1200V 28A/375Ap 40ns. max: 60ns 138W TO247AD

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode DSEI60-06A
DSEI60-06A
23.41€ TTC
13 En stock
13 En stock

Diode silicium 600V 60A. Trr: 35ns. 166W. Boîtier: TO-247AD. Fast Recovery.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode DSEI60-10A
DSEI60-10A
30.63€ TTC
30 En stock
30 En stock

Diode silicium 1000V 60A. Trr: 35ns. 189W. Boîtier TO-247AD. FastRecovery. Epitax.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode DSEI60-12A
DSEI60-12A
31.64€ TTC
44 En stock
44 En stock

Diode silicium 1200V 52A. Trr: 40ns. 189W. Boîtier TO-247AD FastRecovery. Epitax.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode DSEK60-06A
DSEK60-06A
25.59€ TTC
27 En stock
27 En stock

Double diode silicium 600V 2x30A. Trr<50ns. Tension de seuil: 1.4V. Boîtier: TO-247AD.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode DSEP12-12A
DSEP12-12A
10.19€ TTC
63 En stock
63 En stock

Diode silicium 1200V 15A. Trr: 40ns. 95W. Boîtier: TO220AC. HiPerFRED.

 
 
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Diode DSEP30-12A
DSEP30-12A
22.62€ TTC
35 En stock
35 En stock

Diode silicium 1200V 30A. Trr: 40ns. 165W. Boîtier: TO247AD. HiPerFRED.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode DSEP60-12A
DSEP60-12A
30.63€ TTC
27 En stock
27 En stock

Diode silicium 1200V 60A. Trr: 40ns. 190W. Boîtier: TO247AD. HiPerFRED.

 
 
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Tarifs dégressifs

Diode DSEP60-12AR
DSEP60-12AR
37.13€ TTC
33 En stock
33 En stock

Diode silicium 1200V 60A. Trr: 40ns. 190W. Boîtier isoTO247. HiPerFRED. Epitax.

 
 
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Circuit intégré DSPIC33FJ64MC802-I-SP
DSPIC33FJ64MC802-I-SP
23.74€ TTC
20 En stock
20 En stock

Circuit intégré DSPIC33FJ64MC802-I-SP. CPU 80MHz Program mem. 64kB. Sram: 16384B. Constructeur: MICROCHIP. Marquage boîtier: 33FJ64MC802-I/SP. Version DIL. Boîtier: DIP-28. Vcc: 3.0V - 3.6V. Entrées et sorties programmables: 21. Clock: 80MHz. Plage de température: -40°C à +85°C. Fonction: Digital Signal Controllers with Motor Control PWM.

 
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Transistor DTA114EE
DTA114EE
0.67€ TTC
2750 En stock
2750 En stock

Transistor PNP DTA114EE. SI-P+R 50V 0.1A Rb=10K Rbe=10K. Vce maxi: 50 V. Courant collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: CMS. 1.6x0.8mm. Constructeur: ROHM. Marquage CMS: 14. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

 
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Transistor DTA114EK
DTA114EK
2.91€ TTC
88 En stock
88 En stock

Transistor PNP DTA114EK. SI-P+R 50V 0.1A Rb=10K Rbe=10K. Vce maxi: 50 V. Courant collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: **CMS SOT-23**. 2.9x1.5mm. Constructeur: ROHM. Marquage CMS: 14. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

 
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Transistor DTA124EKA
DTA124EKA
1.62€ TTC
45 En stock
45 En stock

Transistor PNP+R 50V 0.1A 0.2W Rb=22K Rbe22K. Constructeur: ROHM. Marquage boîtier: 15. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: SOT-23 (TO-236). Boîtier: SOT23. Transistor au silicium. 3-pin. Type de transistor: PNP. Vceo: 50V. Consommation 0.1A. Puissance: 0.2W. FT: 250MHz. Diode CE: No. Diode BE: No. Plage de température de fonctionnement:

 
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Transistor DTA143ES
DTA143ES
3.98€ TTC
12 En stock
12 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant collecteur maxi: 0.1A. Boîtier: SC-72 (D143). Résistance de polarisation base/émetteur intégrée (Rb=4K7, Rbe=4K7).

 
 
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Transistor DTA143ZT
DTA143ZT
0.39€ TTC
65 En stock
65 En stock

Transistor PNP DTA143ZT. SI-P+R 50V 0.1A 0.25W Rb=4K7 Rbe=47K. Vce maxi: 50 V. Courant collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: SOT-23. PNP resistor-equipped transistor. Constructeur: NXP. Marquage CMS:19 PDTA143ZT. Résistance de polarisation base/émetteu

Quantité minimum: 10
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Transistor DTC114EK
DTC114EK
1.12€ TTC
194 En stock
194 En stock

Transistor CMS bipolaire NPN. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant de collecteur maxi: 0.1A. Boîtier: SOT-23. Marquage CMS: 24. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée: Rb=10K Rbe=10K. Puissance: 0.2 W

 
 
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Transistor DTC143TT
DTC143TT
0.39€ TTC
2782 En stock
2782 En stock

Transistor CMS bipolaire NPN. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant de collecteur maxi: 0.1A. Boîtier: SOT-23. Puissance: 0.25W. Marquage CMS: 33. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée: Rb=4K7.

 
Quantité minimum: 10
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON